Extreme Ultraviolett-Lithographie (EUVL) – Bericht

Extreme Ultraviolett-Lithographie (EUVL) ist eine fortschrittliche Technologie, die eine Lichtquelle von 13.5 nm verwendet und ein Spitzenkandidat für den 22-nm-Knoten ist Lithographie und darüber hinaus. EUV Lithographie befindet sich derzeit in der Pilotphase mit 0.33-NA-Werkzeugen an Chip-Produktionsstandorten. Eine Massenproduktion wird in naher Zukunft erwartet.

EUV – Technologie-Updates

Mehrfache Musterung
Atomlagenabscheidung (ALD)
Häutchen
Wird High NA genannt
High-NA-Plattform namens „EXE“.

EUV-Lithographie: Wie geht es weiter?

Die Herausforderung bei EUVL ist die starke Absorption der EUV-Strahlung durch alle Materialien. EUV-Resists sind so strukturiert, dass der Druck in einer sehr dünnen Bildschicht auf der Oberfläche des Resists erfolgt. Darüber hinaus müssen EUV-Schutzmaterialien mit der bevorstehenden Weiterentwicklung der Lichtquellentechnologie weiterentwickelt werden.

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EUV – Technologie-Updates

EUV-Lithographie: Wie geht es weiter?

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